International Rectifier ha presentado una plataforma tecnológica de transistores IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de nueva generación. La plataforma de IGBT de 1200V de 8ª Generación (Gen8) utiliza la tecnología trench gate field stop, suministrada en encapsulados TO-247 estándar, para ofrecer las mejores prestaciones dentro de su categoría en aplicaciones industriales y de ahorro de energía.
Los nuevos dispositivos Gen8 se encuentran disponibles para corrientes de 8A a 60A con una VCE(ON) típica de 1,7V y un tiempo de respuesta ante cortocircuitos de 10µs para reducir la disipación de potencia, dando así como resultado un aumento de la densidad de potencia y una mayor robustez.
“Con el desarrollo de esta nueva tecnología de referencia y de la más avanzada plataforma de silicio para IGBT, IR subraya sus décadas de compromiso con el avance de la tecnología de electrónica de potencia. Nuestra meta es lograr la instalación de inversores en todos los motores eléctricos para un uso más eficiente de la energía eléctrica y un entorno más ecológico”, señaló Alberto Guerra, vicepresidente de marketing estratégico del área de productos para ahorro de energía.
La nueva tecnología ofrece unas características de paso a corte más suaves, ideales para aplicaciones de accionamiento de motores al minimizar dv/dt para reducir el nivel de EMI y la sobretensión, así como para aumentar la fiabilidad y la robustez. Una distribución precisa de los parámetros ofrece un excelente compartimiento de la corriente al conectar en paralelo varios IGBT. La tecnología de oblea fina mejora la resistencia térmica y su máxima temperatura de unión llega a 175°C.
“La plataforma de IGBT Gen8 de IR ofrece una tecnología superior para aplicaciones industriales. Con la mejor VCE(ON) dentro de su categoría, su robustez y excelentes características de conmutación, esta plataforma de IGBT cubre especialmente las exigencias del mercado industrial”, declaró Llewellyn Vaughan-Edmunds, director de marketing de productos IGBT del área de productos para ahorro de energía. en IR.
IGBTs Gen8 de 1200V: mayor eficiencia y robustez.
Fuente:
http://www.elektor.com/news/ES-IGBT-Gen8/
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